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江陰長(cháng)電半導體二次配項目

發(fā)布日期：2020-07-17????瀏覽次數：70
項目名稱(chēng)：J2A Bumping-Dry&J1A CP+DPS 二次配工程
工作地點(diǎn)：江蘇省江陰市東盛西路6號
建設單位：中心長(cháng)電半導體（江陰）有限公司
建筑面積：4.9萬(wàn)平方米
建筑層數：3層
結構類(lèi)型：鋼混 框架剪力墻勁性結構
項目特征：12吋中段硅片制造和3D芯片加工
工程概要：1、J2A Bumping-Dry&J1A CP+DPS 二次配工程 2、TD移機二次配-包1及拆機
 

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