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合肥長(cháng)鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目H03工藝動(dòng)力系統包

發(fā)布日期：2020-07-17????瀏覽次數：182

項目名稱(chēng)：長(cháng)鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目H03工藝動(dòng)力系統包

工作地點(diǎn)：合肥經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區北區（空港經(jīng)濟示范區）蜀山區高劉鎮長(cháng)崗街道團肥路

建設單位：合肥長(cháng)鑫集成電路有限責任公司

建筑面積：總建筑面積 336835.30平方米

建筑層數：TB棟地上5層、NB棟\MB棟\SB棟地上4層；建筑高度：38.9米

結構類(lèi)型：鋼混框架剪力墻勁性結構

項目特殊性：生產(chǎn)12吋儲存芯片生產(chǎn)廠(chǎng)房

工程概要：H03包工藝動(dòng)力系統包： 1）本工程含制程工藝排氣工程 2）工藝電力配電工程 3）大宗氣體工程 4）工藝排水系統工程 5）系統自控工程等

排氣工程

排水

氣體系統管路

電盤(pán)定位